JLIB_HTML_BEHAVIOR_LOADING

Фотоелектричний датчик Sick G2F, GTE2F-N5131 (si-1108126)

  • Напруга живлення, В: 10...30V, DC
  • Дальність виявлення: 2...25 mm
  • Принцип: Датчик з відображенням об'єкта,
    енергетичний
  • Артикул: 1108126
Виробник Sick
Тип Фотоелектричний датчик
Серія G2F
Напруга живлення, В 10...30V, DC
Тип підключення Кабель з роз'ємом M8, 3-конт., 200 мм
Вихід
Тип виходу NPN
Тип вихідного сигналу дискретний
Комутаційна здатність, мА ≤ 50 mA
Частота комутації, ГЦ 800 Hz
Оптика
Матеріал оптичної поверхні Пластик, MABS
Принцип виявлення Датчик з відображенням об'єкта,
енергетичний
Налаштування Відсутнє
Вид випромінювання Видимо червоне світло
Джерело випромінювання
Розміри світлової плями/відстань Ø 11 мм (30 мм)
Номінальна дальність виявлення 2...25 mm
Конструкція
Матеріал корпуса Пластик, VISTAL
Конструкція корпусу Прямокутний
Довжина, мм 3,5
Ширина, мм 14
Висота, мм 24
Особливості
Ступінь захисту, IP IP67

Відгуки про Фотоелектричний датчик Sick G2F, GTE2F-N5131

Ще немає відгуків

Задати питання

Перетягніть файли сюди або натисніть для вибору Максимум 5 файлів

Питань поки немає. Будьте першим!

з ПДВ